Az első soros, kétkapus tranzisztor

1997 decemberében Wong és IBM-es kollégái sikeresen megoldották ezt a konstrukciós feladatot: előállították az első soros, kétkapus tranzisztort, mégpedig úgy, hogy egyszerűen színte megfordították a hagyományos tranzisztor előállításának lépéseinek sorrendjét. Ahelyett, hogy a szilikon borításból marták volna ki a tranzisztor alkatrészeit, próbakapukkal kezdtek, amelyek köré a formába „odanövesztettek” több rétegű ülepítéssel kristályos formájú szilikont, s így építették fel a forrást, csatornát és az elvezetőt.

Az igazi kapuk ezek után kerültek be a próbakapuk helyére nagyon óvatosan, hogy biztosan egy sorban legyenek. Az IBM csapat azóta kidolgozott már egy második eljárásmódot is, aminél két különböző szilikon rétegen alakítják ki a tranzisztor alkotóelemeit,, amiket utána összeraknak. Az összeállítást követően egy sima vágással levágja az alsó és felső kapukat, s így garantált, hogy egy sorban legyenek. Bár mindkét módszer sikeres, még nem lehet tudni, hogy melyik lesz jobb a későbbiekben. Jelenleg az IBM csapat egy harmadik eljárásmód kifejlesztésén dolgozik, amely mindkét eljárásmódból ellop valamennyit hogy a gyártást megkönnyítse. A University of California, Berkley, az M.I.T. és páran mások ugyancsak ezen a fejlesztésen dolgoznak, mindenki saját ötleteit dolgozva ki. A Berkley kutatói tavaj decemberben már be is mutatták előállítási technikájukat. Még így is, állítja Wong, „a tömeggyártás szemszögéből mindezek a előállítási módok teljesen elképzelhtetlenek és drágák.” Mégis biztosnak tűnik, hogy egyszer, nem is olyan sokára, a kétkapus tranzisztorokat olcsón fogják tudni gyártani, és elterjedt lesz – legalábbis a 20 nanométeres határ felett.

Vélemény, hozzászólás?

Az email címet nem tesszük közzé. A kötelező mezőket * karakterrel jelöljük.